เนื้อหา
ซัมซุงเริ่มผลิตหน่วยเก็บข้อมูล eUFS 2.1 หนึ่งเทราไบต์จำนวนมาก บริษัท ประกาศในวันนี้ การประกาศดังกล่าวเกิดขึ้นหลังจากมีข่าวลือว่า บริษัท จะเปิดตัว Galaxy S10 รุ่นที่มีพื้นที่จัดเก็บข้อมูลเทราไบต์ ที่เก็บข้อมูลแฟลชความจุสูงใช้พื้นที่ทางกายภาพเหมือนกับแฟลช 512GB ที่ประกาศก่อนหน้านี้ซึ่งพบใน Galaxy Note 9
พื้นที่จัดเก็บนั้นใช้เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช V-NAND ขั้นสูงของ Samsung ซึ่งเพิ่มความหนาแน่นความต้องการพลังงานที่ลดลงและความเร็วที่เร็วขึ้นโดยทั่วไป มันใช้ประโยชน์จากการซ้อนในแนวดิ่งของเซลล์ NAND เดี่ยวซึ่งเมื่อเปรียบเทียบกับการจัดเรียงในแนวนอนของ NAND ปกติจะมีประสิทธิภาพมากกว่า
ผู้ใช้คาดหวังอะไร
ในขณะที่ Samsung อ้างว่าพื้นที่เก็บข้อมูลที่ใช้ eUFS 2.1 สามารถรับความเร็วในการอ่านต่อเนื่องสูงถึง 1,000 เมกะไบต์ต่อวินาที แต่คุณไม่น่าจะใช้ตัวเลขดังกล่าวในการใช้งานจริง ความเร็วในการสุ่มนั้นเป็นสิ่งที่สำคัญกว่าและตัวเลขเบื้องต้นจาก Samsung เปิดเผยว่าตัวเลขเหล่านั้นได้รับการปรับปรุงให้ดีขึ้นอีกเล็กน้อย
โดยเฉพาะอย่างยิ่งความเร็วในการเขียนแบบสุ่มควรช่วยเปิดใช้งานแอปพลิเคชันเช่นการถ่ายภาพเฟรมสูงอย่างต่อเนื่อง จนถึงโทรศัพท์ส่วนใหญ่ถูก จำกัด เพียงไม่กี่วินาทีของการจับภาพวิดีโออัตราเฟรมสูง Samsung กล่าวว่าความเร็วในการอ่านและเขียนที่สูงขึ้นของโซลูชั่นหน่วยความจำ 1 เทราไบต์ V-NAND ใหม่จะเพียงพอสำหรับการบันทึกวิดีโอระยะยาวอย่างต่อเนื่องที่ 960 เฟรมต่อวินาที
การผลิตสำหรับที่เก็บแฟลชเริ่มต้นที่โรงงานของ Samsung ใน Pyeongtaek ประเทศเกาหลีและเราคาดว่าจะเริ่มได้ยินเกี่ยวกับโทรศัพท์ที่เปิดตัวด้วยพื้นที่จัดเก็บข้อมูลความจุสูงที่ MWC จากการพิจารณาก่อนหน้านี้และกาแล็กซี่ S10 ยืนยันการเปิดตัวเมื่อวันที่ 20 กุมภาพันธ์มีโอกาสที่ดีที่เราจะเห็นที่เก็บข้อมูลที่รวมอยู่ในโทรศัพท์มือถือรุ่นนั้น
คุณคิดอย่างไรเกี่ยวกับพื้นที่เก็บข้อมูลบนโทรศัพท์? คุณมีสื่อมากพอที่จะพิสูจน์ความจุสูงหรือคุณยอมรับอนาคตของคลาวด์เป็นครั้งแรกหรือไม่?
